路透引述3名消息人士表示，南韓三星電子最新的高頻寬記憶體(HBM)晶片尚未通過輝達(Nvidia)的測試，因存在發熱和功耗問題，無法用於輝達的人工智能(AI)處理器。
消息稱，這些問題影響了三星HBM3晶片，以及三星及其競爭對手今年將推向市場的第五代HBM3E晶片。自去年起，三星一直在努力通過輝達對HBM3和HBM3E的測試，最近一次公布對三星8層和12層HBM3E晶片的測試失敗結果是在上月。
目前尚不清楚這些問題是否容易解決，但消息人士稱，未能達到輝達的要求增加了業界和投資者的擔憂，即三星在HBM方面可能會進一步落後於競爭對手SK海力士和美光科技(Micron)。
三星在聲明表示，HBM是一種客製化的內存產品，需要根據客戶的需求進行優化，公司正在通過與客戶的密切合作優化其產品。
