路透報道，南韓三星集團籌備在美國得克薩斯州興建的新晶片廠，投資額將增至250億美元(1950億港元)，較初期估計的金額高80億美元。
報道引述消息人士稱，80%新增投資預算開支，涉及高通脹導致建築成本增加，而不是修訂原先投資計劃。
三星在2021年宣布在得州建設晶片廠計劃時，通脹遠低於目前水平。消息人士指出，三星已經支付原有170億美元投資額的逾半數。
消息表示，三星不排除增加當地廠房規模的可能性。本月較早時，美國商務部正式接受涉及《晶片法案》(CHIPS Act)的補助申請，成功申請者可取得最多相當於投資成本15%的補助。
