外電引述消息人士報道，南韓三星電子(Samsung)正考慮斥資超過100億美元(約780億港元)，在美國得克薩斯州設立先進的邏輯晶片製造廠，以趕上行業領導者台積電。
據報，三星希望在得州新廠生產最先進的3納米晶片。目前計劃還處於初步階段，仍存變數。三星擬今年開始建廠，最快2023年開始運作，預算投資超過100億美元。
三星此次在美設廠，將與台積電展開正面交鋒。去年5月，台積電宣布投資120億美元，在亞利桑那州興建5納米晶片廠。
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