外電報道，華為與內地晶片製造設備開發商新凱來，申請先進半導體製造方法專利，雖屬較低技術，但卻有機會改善晶片生產技術，提高突破美國圍堵改進晶片生產技術的可能性。
兩家公司向中國國家知識產權局提交專利文件，顯示它們正在開發涉及自對準四重成像技術(SAQP)，或可減少對高階光刻技術的依賴，可能在沒有荷蘭晶片設備製造巨頭艾司摩爾(ASML)最先進極紫外線(EUV)光刻機下生產先進晶片。
新凱來屬華為的合作夥伴，該公司去年底獲得一項涉及SAQP的專利。文件顯示，其專利採用深紫外線(DUV)光刻技術、晶片製造機器和SAQP技術，以達到5納米晶片的某些技術門檻。這種做法可避免使用EUV機器，並降低製造成本。
研究機構TechInsights認為，SAQP足以讓中國製造5納米晶片，但不能完全克服沒有EUV的技術問題。
中國目前有能力製造7納米晶片，落後全球領先者兩代，若推進到5納米，即落後一代。
