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2024年7月30日 香港財經

麻省光子技術擬港投資逾2億及設研發團隊

科技園公司與麻省光子技術今日舉行發布會,麻省光子技術計劃於香港科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵(GaN)外延工藝全球研發中心,以及於創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵(GaN)外延片中試線。

該公司預計,將在香港投資至少2億元及設立研發團隊,冀望帶動整個第三代半導體產業鏈布局,讓香港微電子創科生態更為蓬勃,新型工業化發展至扎實落地。

麻省光子技術行政總裁廖翊韜表示,計劃入駐新建的香港科技園微電子中心(MEC),建設香港首條8寸氮化鎵外延片研發中試產線,並基於該公司外延片,聯合香港微電子專家,開發下游的氨化鎵光電子和功率半導體器件。

廖翊韜表示,通過新產品的中試研發和孵化,建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包,3年內完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產產線建設,實現年產1萬片8寸氨化鎵晶圓產能,將香港製造的外延片產品推向全球市場。

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