科技園公司與麻省光子技術今日舉行發布會，麻省光子技術計劃於香港科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵(GaN)外延工藝全球研發中心，以及於創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵(GaN)外延片中試線。
該公司預計，將在香港投資至少2億元及設立研發團隊，冀望帶動整個第三代半導體產業鏈布局，讓香港微電子創科生態更為蓬勃，新型工業化發展至扎實落地。
麻省光子技術行政總裁廖翊韜表示，計劃入駐新建的香港科技園微電子中心(MEC)，建設香港首條8寸氮化鎵外延片研發中試產線，並基於該公司外延片，聯合香港微電子專家，開發下游的氨化鎵光電子和功率半導體器件。
廖翊韜表示，通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，3年內完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產產線建設，實現年產1萬片8寸氨化鎵晶圓產能，將香港製造的外延片產品推向全球市場。
