據日經報道，日本預計將撥出3500億日圓(23.8億美元)預算，用於與美國合作研發下一代半導體。
報道稱，這筆支出是本財年第二次補充預算法案的一部分，法案中還包括投入4500億日圓在日本建設先進晶片生產中心，投入3700億日圓用於獲取關鍵製造材料。
報道指，生產中心將於年底前開工建設，期望在2030年底前擁有生產2納米晶片的能力。
報道稱，日本參與企業的名稱和其他細節將於本月公布。據報，東京大學、國立產業技術綜合研究所和理化學研究所Riken將與美國和歐洲的公司和研究機構一起參與，IBM是美國參選企業之一。
