存儲晶片HBM上行周期

存儲晶片，或稱半導體存儲，其中主要包括DRAM、Flash、SRAM、PROM等，而其中DRAM及NAND Flash是最主要的存儲類型，佔據整體市場份額高達99%左右，但是DRAM的市場規模和集中度都遠比NAND為高。DRAM的用途主要是用於臨時存儲數據和指令，是手機、電腦和服務器等記憶體的主要方案；而Flash主要是用於各類的電子產品的硬盤，負責永久存儲數據。隨着AI人工智慧年代來臨，DRAM的重要性更進一步提升，因此本文也會集中討論HBM最新情況。 SK海力士三星美光鬥法 DRAM主要也可以分為幾類產品，包括DDR、LPDDR、GDDR和HBM。前面三者主要用於傳統消費電子、汽車等領域， ...

（節錄）全文共1465字