理大研發電腦記憶體新材料

任何物質的原子厚度單層結構堆疊起來，均有可能產生於單層結構時不存在的新特性。香港理工大學應用物理學系主任兼納米材料講座教授劉樹平（左圖右）領導的團隊，發現由二硫化鉬（MoS2）和二硫化鎢（WS2）合組的雙層堆疊，具有壓電性兼展現出鐵電效應。這些新型納米級鐵電體（小圖）低成本、低耗能，具備大規模複製潛力，可用於生產電腦記憶體；有關研究刊登於國際學術期刊《科學》（Science）。（理大提供圖片） ...

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