台大MIT台積電獲1nm晶片材料

半導體行業一直追求在晶片內容納更多電晶體。台灣大學與台積電、美國麻省理工學院（MIT）的最新研究發現，二維材料結合半金屬鉍（Bi）能達到極低的電阻，有望把半導體晶片的製程進一步降至1nm（納米）以下，研究已發表在期刊《自然》（Nature）上。助延續摩爾定律現時矽基半導體晶片，步向支持3nm製程，但由於逼近物理極限，如要延續摩爾定律（Moore's Law），必須尋找其他替代材料。科學界對二維材料寄予厚望，卻無法解決其高電阻、低電流等問題。有見及此，台大、台積電及MIT自2019年起，開展為期一年半的跨國合作。事緣MIT團隊首先發現，在二維材料搭配半金屬鉍的電極，能大幅降低電阻，並提高傳 ...

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