外電引述消息人士透露,三星電子計劃明年下調內存晶片產量的增速,以在需求放緩的情況下保持供應緊張,此舉將有助於維持或推高半導體價格。
消息人士稱,三星目前預計動態隨機存取存儲器(DRAM)容量增速在不到20%,Nand快閃記憶體增速在30%。
三星今年稍早的預測,DRAM今年增速在20%,而Nand則在40%。
三星拒絕發表評論。
2018年9月21日 國際財經
外電引述消息人士透露,三星電子計劃明年下調內存晶片產量的增速,以在需求放緩的情況下保持供應緊張,此舉將有助於維持或推高半導體價格。
消息人士稱,三星目前預計動態隨機存取存儲器(DRAM)容量增速在不到20%,Nand快閃記憶體增速在30%。
三星今年稍早的預測,DRAM今年增速在20%,而Nand則在40%。
三星拒絕發表評論。
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